řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 30 A 200 V Infineon, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 919-4810
- Výrobní číslo:
- IRFP250NPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 25 kusech)*
1 803,35 Kč
(bez DPH)
2 182,05 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 150 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 4 175 jednotka(y) budou odesílané od 26. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 72,134 Kč | 1 803,35 Kč |
| 50 - 100 | 68,538 Kč | 1 713,45 Kč |
| 125 + | 65,643 Kč | 1 641,08 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 919-4810
- Výrobní číslo:
- IRFP250NPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 30A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 75mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 123nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 214W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 15.9mm | |
| Výška | 20.3mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 30A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 75mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 123nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 214W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 15.9mm | ||
Výška 20.3mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MX
MOSFETy Infineon řady HEXFET, 30 A maximální trvalý vypouštěcí proud, 214 W maximální ztrátový výkon - IRFP250NPBF
Tento výkonový tranzistor MOSFET je navržen pro vysoký výkon v různých elektronických aplikacích. Jako N-kanálový MOSFET účinně zvyšuje průtok proudu při přivedení napětí. Vyznačuje se schopností zvládat vysoké úrovně proudu při zachování nízkého zapínacího odporu, což jej činí vhodným pro energeticky náročné aplikace.
Vlastnosti a výhody
• Trvalý vypouštěcí proud 30 A podporuje robustní výkon
• Výkon 214 W vyhovuje náročným aplikacím
• Maximální napětí 200 V na drenážním zdroji přispívá ke spolehlivosti zařízení
• Nízký Rds(on) 75 mΩ minimalizuje ztráty energie během provozu
• Režim vylepšení zlepšuje řízení a účinnost v obvodových aplikacích
• Kompatibilita s pouzdrem TO-247AC pro bezproblémovou integraci do stávajících systémů
Aplikace
• Napájecí zdroje pro průmyslovou automatizaci
• Řízení vysokoproudých zátěží v elektronických obvodech
• Měniče a střídače v systémech obnovitelné energie
• Ovládání motoru vyžadující rychlé přepínání
Jak si tento MOSFET poradí s vysokými teplotami?
Díky maximální provozní teplotě +175 °C funguje efektivně i v prostředí s vysokými teplotami a zajišťuje stálý výkon při zátěži.
Jaké jsou důsledky specifikovaného odporu?
Nízké Rds(on) 75 mΩ vede ke snížení ztrát energie, což zvyšuje celkovou účinnost a snižuje produkci tepla během používání.
Je toto zařízení vhodné pro pulzní aplikace?
Ano, zvládne pulzní vypouštěcí proudy až 120 A, takže je vhodný pro krátkodobé aplikace s vysokým proudem.
Jak řídí napětí na hradlech během provozu?
Zařízení umožňuje použití v rozsahu napětí mezi hradlem a zdrojem od -20 V do +20 V, což umožňuje flexibilitu v různých řídicích obvodech.
Jaký význam má lavinové hodnocení?
Hodnota lavinové energie jednoho impulzu 315 mJ ukazuje na jeho schopnost snášet krátkodobé energetické rázy, což ho chrání v případě poruchy.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRFP250NPBF Typ N-kanálový 30 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 130 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 50 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 30 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 200 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 100 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 94 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 65 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení