řada: Si4190ADY MOSFET SI4190ADY-T1-GE3 N-kanálový 18 A 100 V Vishay, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
Skladové číslo RS:
919-4233
Výrobní číslo:
SI4190ADY-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

18A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Řada

Si4190ADY

Typ balení

SOIC

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

2.2Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

6W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-20V, +20V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

44.4nC

Přímé napětí Vf

1.1V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

5mm

Výška

1.5mm

Šířka

4mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
TW

Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay


Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor


Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.