řada: PowerTrench MOSFET FDS4559 Typ P, Typ N-kanálový 4.5 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2

Získejte množstevní slevu na nákup

Přidejte dalších 100 kusů a ušetřete 296,40 Kč

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

214,89 Kč

(bez DPH)

260,02 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 800 jednotka(y) budou odesílané od 20. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
Úspora
10 - 9021,489 Kč214,89 Kč-
100 - 24018,525 Kč185,25 Kč296,40 Kč
250 - 49016,055 Kč160,55 Kč1 358,50 Kč
500 - 99014,104 Kč141,04 Kč3 692,50 Kč
1000 +12,844 Kč128,44 Kč8 645,00 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
917-5471
Výrobní číslo:
FDS4559
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

Typ P, Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

4.5A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Řada

PowerTrench

Typ balení

SOIC

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

55mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

12.5nC

Přímé napětí Vf

800mV

Maximální ztrátový výkon Pd

2W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-20V, +20V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Normy/schválení

No

Šířka

4mm

Délka

5mm

Výška

1.5mm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

Ne

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.

Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je modul FOM (obrázek o Merit) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozí generace.

Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat šňupací obvod nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.