Ne, řada: PowerTrench MOSFET FDS4559 Typ P, Typ N-kanálový 4.5 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

186,98 Kč

(bez DPH)

226,25 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Nedostatečné zásobování
  • 210 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 6 170 jednotka(y) budou odesílané od 17. prosince 2025
Naše současné skladové zásoby jsou omezené a naši dodavatelé očekávají nedostatek.
Ks
za jednotku
za balení*
10 - 9018,698 Kč186,98 Kč
100 - 24016,129 Kč161,29 Kč
250 - 49013,98 Kč139,80 Kč
500 - 99012,301 Kč123,01 Kč
1000 +11,164 Kč111,64 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
917-5471
Výrobní číslo:
FDS4559
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ P, Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

4.5A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Řada

PowerTrench

Typ balení

SOIC

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

55mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

0.8V

Maximální ztrátový výkon Pd

2W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

12.5nC

Maximální provozní teplota

175°C

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Normy/schválení

No

Délka

5mm

Výška

1.5mm

Šířka

4 mm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

Ne

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.

Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je modul FOM (obrázek o Merit) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozí generace.

Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat šňupací obvod nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy