řada: STripFET MOSFET STD10P6F6 Typ P-kanálový 10 A 60 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 917-2747P
- Výrobní číslo:
- STD10P6F6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 200 jednotky/-ek (dodává se na cívce)*
3 499,20 Kč
(bez DPH)
4 234,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 580 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 200 - 480 | 17,496 Kč |
| 500 + | 14,576 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 917-2747P
- Výrobní číslo:
- STD10P6F6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 10A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | STripFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 160mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 30W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Přímé napětí Vf | -1.1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20, +20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 7.45mm | |
| Výška | 2.38mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 6.6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 10A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada STripFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 160mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 30W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Přímé napětí Vf -1.1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20, +20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 7.45mm | ||
Výška 2.38mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 6.6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
P-Channel STAFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.