řada: HEXFET MOSFET IRF7406TRPBF Typ P-kanálový 5.8 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 1

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Typy balení:
Skladové číslo RS:
915-4951
Výrobní číslo:
IRF7406TRPBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Řada

HEXFET

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ P

Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id)

5.8 A

Maximální napětí na zdroji (Vds)

30 V

Typ balení

SOIC

Počet kolíků

8

Režim kanálu

Vylepšení

Počet prvků na čip

1

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Přímé napětí (Vf)

1 V

Výška

1.5 mm

Délka

5 mm

Maximální odpor zdroje (Rds)

70 mΩ

Maximální napětí zdroje brány (Vgs)

20 V, -20 V

Maximální provozní teplota

150 °C

Maximální ztrátový výkon (Pd)

2.5 W

Minimální provozní teplota

-55 °C

Typ montáže

Povrch

Šířka

4 mm

P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon


Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.