řada: HEXFET MOSFET IRF7406TRPBF Typ P-kanálový 5.8 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 1
- Skladové číslo RS:
- 915-4951
- Výrobní číslo:
- IRF7406TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 915-4951
- Výrobní číslo:
- IRF7406TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5.8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 70mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20, -20V | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 5mm | |
| Výška | 1.5mm | |
| Šířka | 4mm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5.8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOIC | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 70mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20, -20V | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 5mm | ||
Výška 1.5mm | ||
Šířka 4mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Výkonový tranzistor MOSFET P-Channel 30 V, Infineon
Řada diskrétních výkonových tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení s P-kanálem v pouzdrech pro povrchovou montáž a s olovem a tvarové faktory, které mohou řešit téměř jakýkoli problém s rozložením desky a tepelným návrhem. V celé řadě Benchmark na odpor snižuje ztráty vodivosti, což umožňuje návrhářům zajistit optimální účinnost systému.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí rozsáhlé a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnují řady CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě pro vyšší účinnost, hustotu výkonu a nákladovou efektivitu. Konstrukce vyžadující vysokou kvalitu a vylepšené ochranné funkce využívají průmyslové normy AEC-Q101. Automotive Certified MOSFETs.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 5.8 A 30 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFTS9342TRPBF Typ P-kanálový 5.8 A 30 V Infineon počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový -3.6 A -30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 20 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 15 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 16 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 5.4 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 10.5 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení