řada: STripFET F7 MOSFET STP140N6F7 N-kanálový 80 A 60 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 906-4693P
- Výrobní číslo:
- STP140N6F7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (50 jednotky/-ek, dodává se v tubě)*
2 704,60 Kč
(bez DPH)
3 272,55 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 50 jednotka(y) budou odesílané od 24. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 50 - 120 | 54,092 Kč |
| 125 + | 44,346 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 906-4693P
- Výrobní číslo:
- STP140N6F7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 80A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | STripFET F7 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 158W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20, +20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 55nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 9.15mm | |
| Šířka | 4.6mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 80A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada STripFET F7 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 158W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20, +20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 55nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 9.15mm | ||
Šířka 4.6mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel STAFET™ řady F7, STMicroelectronics
Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.