řada: STripFET F7 MOSFET Typ N-kanálový 100 A 60 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 906-4680P
- Výrobní číslo:
- STP100N6F7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
1 036,15 Kč
(bez DPH)
1 253,75 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 300 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 50 - 90 | 20,723 Kč |
| 100 - 240 | 20,452 Kč |
| 250 - 490 | 20,205 Kč |
| 500 + | 19,982 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 906-4680P
- Výrobní číslo:
- STP100N6F7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | STripFET F7 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5.6mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 125W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 12.6nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 9.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada STripFET F7 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5.6mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 125W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 12.6nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 9.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel STAFET™ řady F7, STMicroelectronics
Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.