řada: STripFET F7 MOSFET STL90N6F7 N-kanálový 90 A 60 V STMicroelectronics, PowerFLAT, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 906-2855P
- Výrobní číslo:
- STL90N6F7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (100 jednotky/-ek, dodává se na souvislé pásce)*
2 340,00 Kč
(bez DPH)
2 831,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 670 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 100 - 490 | 23,40 Kč |
| 500 - 990 | 18,644 Kč |
| 1000 - 2990 | 18,012 Kč |
| 3000 + | 17,798 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 906-2855P
- Výrobní číslo:
- STL90N6F7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 90A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | PowerFLAT | |
| Řada | STripFET F7 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5.4mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 94W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 0.95mm | |
| Délka | 5.4mm | |
| Šířka | 6.35mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 90A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení PowerFLAT | ||
Řada STripFET F7 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5.4mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 94W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 0.95mm | ||
Délka 5.4mm | ||
Šířka 6.35mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
N-Channel STAFET™ řady F7, STMicroelectronics
Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.