řada: MDmesh M2 MOSFET STF12N60M2 N-kanálový 9 A 600 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 906-2779
- Výrobní číslo:
- STF12N60M2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
173,10 Kč
(bez DPH)
209,45 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 730 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 34,62 Kč | 173,10 Kč |
| 50 - 245 | 30,466 Kč | 152,33 Kč |
| 250 - 495 | 27,212 Kč | 136,06 Kč |
| 500 + | 23,368 Kč | 116,84 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 906-2779
- Výrobní číslo:
- STF12N60M2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | MDmesh M2 | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 450mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 25W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25V | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 4.6mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 16.4mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada MDmesh M2 | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 450mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 25W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 4.6mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 16.4mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Řada M2, STMicroelectronics, N-channel MDmesh™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: MDmesh M2 MOSFET Typ N-kanálový 9 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3
- řada: MDmesh M2 MOSFET STF10N60M2 Typ N-kanálový 7.5 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh M2 MOSFET STF24N60M2 Typ N-kanálový 18 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh M2 MOSFET STP18N60M2 Typ N-kanálový 13 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh M2 MOSFET STP10N60M2 Typ N-kanálový 7.5 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh M2 MOSFET STP18N65M2 Typ N-kanálový 12 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový STMicroelectronics