řada: PowerTrench MOSFET SI4435DY Typ P-kanálový 8.8 A 30 V onsemi, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

68,64 Kč

(bez DPH)

83,05 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Plus 30 jednotka(y) budou odesílané od 04. května 2026
  • Konečné odeslání 3 910 jednotky (jednotek) od 11. května 2026
Ks
za jednotku
za balení*
10 +6,864 Kč68,64 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
903-4412
Výrobní číslo:
SI4435DY
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

Typ P

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

8.8A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Řada

PowerTrench

Typ balení

SOIC

Typ montáže

Pájka

Počet kolíků

8

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

17nC

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální ztrátový výkon Pd

2.5W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

1.57mm

Délka

4.9mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.

Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je FOM (obrázek o Meritu) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozích generací.

Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvody šňupavého modulu nebo nahradit tranzistory MOSFET s vyšším napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy