řada: PowerTrench MOSFET FDC6420C Typ P, Typ N-kanálový 3 A 20 V, SSOT, počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*

348,025 Kč

(bez DPH)

421,10 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 725 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 3 000 jednotka(y) budou odesílané od 20. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
25 - 7513,921 Kč348,03 Kč
100 - 47510,394 Kč259,85 Kč
500 - 9758,309 Kč207,73 Kč
1000 - 29756,857 Kč171,43 Kč
3000 +5,582 Kč139,55 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
903-4147
Výrobní číslo:
FDC6420C
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ P, Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

3A

Maximální napětí na zdroji Vds

20V

Typ balení

SSOT

Řada

PowerTrench

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

190mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

960mW

Typický náboj brány Qg @ Vgs

3.3nC

Přímé napětí Vf

0.7V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Výška

1mm

Normy/schválení

No

Délka

3mm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

Ne

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.

Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je modul FOM (obrázek o Merit) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozí generace.

Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat šňupací obvod nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.