řada: CoolMOS CP MOSFET IPW60R125CPFKSA1 Typ N-kanálový 25 A 650 V Infineon, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 897-7333
- Výrobní číslo:
- IPW60R125CPFKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
120,08 Kč
(bez DPH)
145,30 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 09. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 60,04 Kč | 120,08 Kč |
| 10 - 18 | 54,585 Kč | 109,17 Kč |
| 20 - 48 | 51,005 Kč | 102,01 Kč |
| 50 - 98 | 47,425 Kč | 94,85 Kč |
| 100 + | 43,845 Kč | 87,69 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 897-7333
- Výrobní číslo:
- IPW60R125CPFKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 25A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | CoolMOS CP | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 125mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 53nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 208W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30 V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 21.1mm | |
| Délka | 16.13mm | |
| Šířka | 5.21 mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 25A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada CoolMOS CP | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 125mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 53nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 208W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30 V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 21.1mm | ||
Délka 16.13mm | ||
Šířka 5.21 mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon CoolMOS™ CP
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: CoolMOS CP MOSFET Typ N-kanálový 25 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CP MOSFET Typ N-kanálový 21 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CP MOSFET Typ N-kanálový 31 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CP MOSFET IPW60R045CPFKSA1 Typ N-kanálový 60 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CP MOSFET IPW60R165CPFKSA1 Typ N-kanálový 21 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CP MOSFET IPW60R099CPFKSA1 Typ N-kanálový 31 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CP MOSFET Typ N-kanálový 16 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CP MOSFET IPA60R199CPXKSA1 Typ N-kanálový 16 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení