AEC-Q101 MOSFET DMG4511SK4-13 Typ N, Typ P-kanálový 9.6 A 35 V, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- Skladové číslo RS:
- 885-5482
- Výrobní číslo:
- DMG4511SK4-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Mezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
225,66 Kč
(bez DPH)
273,04 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 7 420 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 + | 11,283 Kč | 225,66 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 885-5482
- Výrobní číslo:
- DMG4511SK4-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ kanálu | Typ N, Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 9.6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 35V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 65mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| Minimální provozní teplota | 150°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 8.9W | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Maximální provozní teplota | -55°C | |
| Délka | 6.7mm | |
| Výška | 2.39mm | |
| Normy/schválení | J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101 | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ kanálu Typ N, Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 9.6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 35V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 65mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 8.8nC | ||
Minimální provozní teplota 150°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 8.9W | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Maximální provozní teplota -55°C | ||
Délka 6.7mm | ||
Výška 2.39mm | ||
Normy/schválení J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101 | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET Typ N TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 MOSFET DMPH4013SK3Q-13 Typ P-kanálový 55 A 40 V DiodesZetex počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: DMP4011 MOSFET DMP4011SK3-13 Typ P-kanálový 74 A 40 V DiodesZetex počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET DMPH4011SK3Q-13 Typ P-kanálový 79 A 12 V DiodesZetex počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET DMPH4011SK3-13 Typ P-kanálový 79 A 40 V DiodesZetex počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: DMP4011 MOSFET Typ P-kanálový 74 A 40 V DiodesZetex počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 79 A 12 V DiodesZetex počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 55 A 40 V DiodesZetex počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení