řada: MDmesh M2 MOSFET N-kanálový 52 A 650 V STMicroelectronics, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 876-5720P
- Výrobní číslo:
- STW56N60M2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 100 kusů a ušetřete 166,00 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
1 365,90 Kč
(bez DPH)
1 652,70 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 314 jednotka(y) budou odesílané od 14. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 10 - 99 | 136,59 Kč | - |
| 100 - 599 | 134,93 Kč | 166,00 Kč |
| 600 + | 133,30 Kč | 1 974,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 876-5720P
- Výrobní číslo:
- STW56N60M2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 52A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | MDmesh M2 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 55mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -25V, +25V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 350W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 91nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 20.15mm | |
| Délka | 15.75mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 5.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 52A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada MDmesh M2 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 55mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -25V, +25V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 350W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 91nC | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 20.15mm | ||
Délka 15.75mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 5.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Řada M2, STMicroelectronics, N-channel MDmesh™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).