řada: STripFET MOSFET STL42P6LLF6 Typ P-kanálový 42 A 60 V STMicroelectronics, PowerFLAT, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 876-5685
- Výrobní číslo:
- STL42P6LLF6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
346,79 Kč
(bez DPH)
419,62 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 26. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 34,679 Kč | 346,79 Kč |
| 50 - 90 | 32,925 Kč | 329,25 Kč |
| 100 - 240 | 29,665 Kč | 296,65 Kč |
| 250 - 490 | 26,676 Kč | 266,76 Kč |
| 500 + | 25,342 Kč | 253,42 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 876-5685
- Výrobní číslo:
- STL42P6LLF6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 42A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | STripFET | |
| Typ balení | PowerFLAT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 34mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 100W | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 0.95mm | |
| Šířka | 5.4 mm | |
| Délka | 6.35mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 42A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada STripFET | ||
Typ balení PowerFLAT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 34mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 100W | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 0.95mm | ||
Šířka 5.4 mm | ||
Délka 6.35mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
P-Channel STAFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- Ne PowerFLAT, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Ne PowerFLAT, počet kolíků: 8 kolíkový
- Ne PowerFLAT, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Ne PowerFLAT, počet kolíků: 8 kolíkový
- Ne PowerFLAT, počet kolíků: 8
- Ne PowerFLAT, počet kolíků: 8
- Ne PowerFLAT, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Ne PowerFLAT, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
