řada: STripFET H7 MOSFET STL60N10F7 Typ N-kanálový 60 A 100 V STMicroelectronics, PowerFLAT, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 786-3741
- Výrobní číslo:
- STL60N10F7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 páska po 5 kusech)*
97,81 Kč
(bez DPH)
118,35 Kč
(s DPH)
Přidejte 90 jednotky/-ek pro dopravu zdarma
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 26. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 19,562 Kč | 97,81 Kč |
| 25 - 45 | 18,574 Kč | 92,87 Kč |
| 50 - 120 | 17,24 Kč | 86,20 Kč |
| 125 - 245 | 16,846 Kč | 84,23 Kč |
| 250 + | 16,40 Kč | 82,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 786-3741
- Výrobní číslo:
- STL60N10F7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 60A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | PowerFLAT | |
| Řada | STripFET H7 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 16.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 25nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 5W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 5.4mm | |
| Výška | 0.95mm | |
| Šířka | 6.35 mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 60A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení PowerFLAT | ||
Řada STripFET H7 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 16.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 25nC | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 5W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 5.4mm | ||
Výška 0.95mm | ||
Šířka 6.35 mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.