řada: PowerTrench MOSFET FDN537N N-kanálový 8 A 30 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 864-8506
- Výrobní číslo:
- FDN537N
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
367,05 Kč
(bez DPH)
444,125 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 2 050 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 14,682 Kč | 367,05 Kč |
| 100 - 225 | 12,666 Kč | 316,65 Kč |
| 250 + | 10,967 Kč | 274,18 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 864-8506
- Výrobní číslo:
- FDN537N
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Řada | PowerTrench | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 30mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.5W | |
| Přímé napětí Vf | 0.86V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 0.94mm | |
| Délka | 2.92mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 1.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Řada PowerTrench | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 30mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.5W | ||
Přímé napětí Vf 0.86V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 0.94mm | ||
Délka 2.92mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 1.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, až 9,9 A, Fairchild Semiconductor
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 8 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 2.3 A 150 V onsemi počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 1.4 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 6.1 A 30 V onsemi počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 3 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 2 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 3 A 80 V onsemi počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 1.6 A 150 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení