MPN

řada: CoolMOS E6MOSFET IPP65R190E6XKSA1 N-kanálový 20 A 700 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	20 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	700 V
	Series	CoolMOS E6
	Typ balení	TO-220
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	190 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	3.5V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	2.5V
	Maximální ztrátový výkon	151 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-30 V, +30 V
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	73 nC při 10 V
	Délka	10.36mm
	Počet prvků na čip	1
	Materiál tranzistoru	Si
	Šířka	4.57mm
	Maximální pracovní teplota	+150 °C
	Výška	15.95mm
	Minimální provozní teplota	-55 °C

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 20 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 700 V
	Series CoolMOS E6
	Typ balení TO-220
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 190 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 3.5V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2.5V
	Maximální ztrátový výkon 151 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -30 V, +30 V
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 73 nC při 10 V
	Délka 10.36mm
	Počet prvků na čip 1
	Materiál tranzistoru Si
	Šířka 4.57mm
	Maximální pracovní teplota +150 °C
	Výška 15.95mm
	Minimální provozní teplota -55 °C

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.