MPN

řada: FDmeshMOSFET STW26NM60ND N-kanálový 21 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Nedostupné

Společnost RS již nebude tento výrobek vést skladem.

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	STMicroelectronics
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	21 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	650 V
	Typ balení	TO-247
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	175 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	5V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	3V
	Maximální ztrátový výkon	190 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-25 V, +25 V
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	54,6 nC při 10 V
	Délka	15.75mm
	Počet prvků na čip	1
	Šířka	5.15mm
	Maximální pracovní teplota	+150 °C
	Materiál tranzistoru	Si
	Výška	20.15mm
	Řada	FDmesh

	Vybrat vše
	Značka STMicroelectronics
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 21 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 650 V
	Typ balení TO-247
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 175 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 5V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 3V
	Maximální ztrátový výkon 190 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -25 V, +25 V
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 54,6 nC při 10 V
	Délka 15.75mm
	Počet prvků na čip 1
	Šířka 5.15mm
	Maximální pracovní teplota +150 °C
	Materiál tranzistoru Si
	Výška 20.15mm
	Řada FDmesh

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.