řada: FDmeshMOSFET STW26NM60ND N-kanálový 21 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 829-1497P
- Výrobní číslo:
- STW26NM60ND
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 20 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
1 268,50 Kč
(bez DPH)
1 534,88 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 20 - 38 | 63,425 Kč |
| 40 + | 56,26 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 829-1497P
- Výrobní číslo:
- STW26NM60ND
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 21 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 650 V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 175 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 5V | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 3V | |
| Maximální ztrátový výkon | 190 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -25 V, +25 V | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 54,6 nC při 10 V | |
| Šířka | 5.15mm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Délka | 15.75mm | |
| Výška | 20.15mm | |
| Řada | FDmesh | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 21 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 650 V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 175 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 5V | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 3V | ||
Maximální ztrátový výkon 190 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -25 V, +25 V | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Maximální pracovní teplota +150 °C | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 54,6 nC při 10 V | ||
Šířka 5.15mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Délka 15.75mm | ||
Výška 20.15mm | ||
Řada FDmesh | ||