řada: NexFET MOSFET CSD16321Q5 N-kanálový 100 A 25 V Texas Instruments, SON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 827-4684
- Výrobní číslo:
- CSD16321Q5
- Výrobce:
- Texas Instruments
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
79,26 Kč
(bez DPH)
95,91 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Omezený stav zásob
- Plus 1 755 jednotka(y) budou odesílané od 12. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 + | 15,852 Kč | 79,26 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 827-4684
- Výrobní číslo:
- CSD16321Q5
- Výrobce:
- Texas Instruments
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Texas Instruments | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 25V | |
| Řada | NexFET | |
| Typ balení | SON | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -8V, +10V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 3.1W | |
| Přímé napětí Vf | 800mV | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 6.1mm | |
| Výška | 1.05mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 5.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Texas Instruments | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 25V | ||
Řada NexFET | ||
Typ balení SON | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -8V, +10V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 3.1W | ||
Přímé napětí Vf 800mV | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 6.1mm | ||
Výška 1.05mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 5.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
Tranzistory MOSFET, Texas Instruments
Související odkazy
- řada: NexFET MOSFET N-kanálový 100 A 25 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET N-kanálový 134 A 60 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET N-kanálový 73 A 30 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET N-kanálový 100 A 60 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET N-kanálový 75 A 40 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET N-kanálový 5 A 25 V Texas Instruments počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET CSD18533Q5A N-kanálový 100 A 60 V Texas Instruments počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NexFET MOSFET CSD16301Q2 N-kanálový 5 A 25 V Texas Instruments počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení