AEC-Q101, řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 1.5 A 20 V Infineon, SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 827-0058
- Výrobní číslo:
- BSS214NH6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 250 kusech)*
1 344,00 Kč
(bez DPH)
1 626,25 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 26. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 250 - 250 | 5,376 Kč | 1 344,00 Kč |
| 500 - 1000 | 5,229 Kč | 1 307,25 Kč |
| 1250 - 2250 | 5,094 Kč | 1 273,50 Kč |
| 2500 - 6000 | 4,967 Kč | 1 241,75 Kč |
| 6250 + | 4,842 Kč | 1 210,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 827-0058
- Výrobní číslo:
- BSS214NH6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ balení | SC-70 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 250mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 500mW | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.8V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 12V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 1.25mm | |
| Délka | 2mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 0.8mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ balení SC-70 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 250mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 500mW | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.8nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 0.8V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 12V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 1.25mm | ||
Délka 2mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 0.8mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™ - malé signální tranzistory MOSFET
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- AEC-Q101 SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SC-70, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení