AEC-Q101, řada: OptiMOS -T2 Výkonový tranzistor IPB80N06S4L05ATMA2 Typ N-kanálový 80 A 60 V Infineon, TO-263, počet
- Skladové číslo RS:
- 826-8998
- Výrobní číslo:
- IPB80N06S4L05ATMA2
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
1 013,70 Kč
(bez DPH)
1 226,58 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 520 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 50,685 Kč | 1 013,70 Kč |
| 40 - 80 | 40,039 Kč | 800,78 Kč |
| 100 - 180 | 37,507 Kč | 750,14 Kč |
| 200 - 480 | 34,975 Kč | 699,50 Kč |
| 500 + | 32,444 Kč | 648,88 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 826-8998
- Výrobní číslo:
- IPB80N06S4L05ATMA2
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | Výkonový tranzistor | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 80A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | OptiMOS -T2 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 107W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 83nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 16V | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 4.4mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 10mm | |
| Šířka | 9.25mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu Výkonový tranzistor | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 80A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada OptiMOS -T2 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 107W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 83nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 16V | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 4.4mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 10mm | ||
Šířka 9.25mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Nelze použít
Infineon OptiMOS™ T2 - výkonové tranzistory MOSFET
Infineon má novou řadu energeticky úsporných tranzistorů MOSFET s redukcí CO2 a elektrickými jednotkami. Nová produktová řada OptiMOS™ -T2 rozšiřuje stávající řady produktů OptiMOS™ -T a OptiMOS™.
Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.
N-kanál – Režim rozlišení
Kvalifikováno pro AEC
MSL1 až Peak 260°
Provozní teplota 175 °C
Zelený výrobek (vyhovuje směrnici RoHS)
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 7