MPN

řada: HEXFET MOSFET IRF7105TRPBF Typ P, Typ N-kanálový 3.5 A 25 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2

Skladové číslo RS:: 826-8829
Číslo zboží společnosti Distrelec:: 304-44-450
Výrobní číslo:: IRF7105TRPBF
Výrobce:: Infineon

řada: HEXFET MOSFET IRF7105TRPBF Typ P, Typ N-kanálový 3.5 A 25 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2

Využijte množstevní slevu

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 20 kusech)*

307,02 Kč

(bez DPH)

371,50 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

6 520 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
20 - 180	15,351 Kč	307,02 Kč
200 - 480	14,586 Kč	291,72 Kč
500 - 980	13,98 Kč	279,60 Kč
1000 - 1980	13,03 Kč	260,60 Kč
2000 +	12,276 Kč	245,52 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 826-8829
Číslo zboží společnosti Distrelec:: 304-44-450
Výrobní číslo:: IRF7105TRPBF
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	Typ P, Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	3.5A
	Maximální napětí na zdroji Vds	25V
	Řada	HEXFET
	Typ balení	SOIC
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	400mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	2W
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	10nC
	Konfigurace tranzistoru	Izolovaný
	Maximální provozní teplota	150°C
	Výška	1.5mm
	Normy/schválení	No
	Délka	5mm
	Počet prvků na čip	2
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu Typ P, Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.5A
	Maximální napětí na zdroji Vds 25V
	Řada HEXFET
	Typ balení SOIC
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 400mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 2W
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 10nC
	Konfigurace tranzistoru Izolovaný
	Maximální provozní teplota 150°C
	Výška 1.5mm
	Normy/schválení No
	Délka 5mm
	Počet prvků na čip 2
	Automobilový standard Ne

Země původu (Country of Origin):: CN

Duální N/P-Channel Power MOSFET Infineon

Duální tranzistory MOSFET společnosti Infineon integrují dvě zařízení HEXFET®, která poskytují energeticky úsporná a nenákladná přepínací řešení v designu s vysokou hustotou součástek, kde je prostor na desce prvotřídní. K dispozici je celá řada možností balení a návrháři si mohou vybrat konfiguraci dvoukanálového kanálu N/P.

Tranzistory MOSFET, Infineon

Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.