řada: SiHF9Z14S MOSFET SIHF9Z14S-GE3 Typ P-kanálový 4.7 A 60 V Vishay, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 815-2673
- Výrobní číslo:
- SIHF9Z14S-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
253,18 Kč
(bez DPH)
306,35 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 20. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 25,318 Kč | 253,18 Kč |
| 100 - 240 | 23,811 Kč | 238,11 Kč |
| 250 - 490 | 21,538 Kč | 215,38 Kč |
| 500 - 990 | 20,254 Kč | 202,54 Kč |
| 1000 + | 18,994 Kč | 189,94 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 815-2673
- Výrobní číslo:
- SIHF9Z14S-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4.7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | SiHF9Z14S | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 500mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 43W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | -5.5V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.67mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 4.83mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4.7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada SiHF9Z14S | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 500mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 43W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf -5.5V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.67mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 4.83mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: SiHF9Z14S MOSFET Typ P-kanálový 4.7 A 60 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHF9620S MOSFET SIHF9620S-GE3 Typ P-kanálový 2 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHF9630S MOSFET SIHF9630STRL-GE3 Typ P-kanálový 4 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHF9540S MOSFET SIHF9540STRL-GE3 Typ P-kanálový 13 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SUM60061EL-GE3 Typ P-kanálový 150 A 80 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 150 A 80 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHF9630S MOSFET Typ P-kanálový 4 A 200 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHF9540S MOSFET Typ P-kanálový 13 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení