řada: Si2343CDS MOSFET SI2343CDS-T1-GE3 Typ P-kanálový 5.9 A 30 V Vishay, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 812-3120
- Výrobní číslo:
- SI2343CDS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
70,84 Kč
(bez DPH)
85,72 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 42 920 jednotka(y) budou odesílané od 06. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 + | 3,542 Kč | 70,84 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 812-3120
- Výrobní číslo:
- SI2343CDS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5.9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | Si2343CDS | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.045Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 7nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.5W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 3.04mm | |
| Šířka | 1.4mm | |
| Normy/schválení | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Výška | 1.02mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5.9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada Si2343CDS | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.045Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 7nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 3.04mm | ||
Šířka 1.4mm | ||
Normy/schválení IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Výška 1.02mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: Si2343CDS MOSFET SI2343CDS-T1-GE3 Typ P-kanálový 5.9 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2365EDS-T1-GE3 Typ P-kanálový 5.9 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: Si2374DS MOSFET SI2374DS-T1-GE3 N-kanálový 5.9 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2347DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 5 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2337DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 2.2 A 80 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: Si2377EDS MOSFET SI2377EDS-T1-GE3 Typ P-kanálový 3.5 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2399DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 6 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2307CDS-T1-GE3 Typ P-kanálový 3.5 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení