řada: STripFET MOSFET STB30NF20 N-kanálový 30 A 200 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 810-7499
- Výrobní číslo:
- STB30NF20
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
305,29 Kč
(bez DPH)
369,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 18. února 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 61,058 Kč | 305,29 Kč |
| 50 - 120 | 54,892 Kč | 274,46 Kč |
| 125 + | 45,00 Kč | 225,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 810-7499
- Výrobní číslo:
- STB30NF20
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 30A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 200V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | STripFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 75mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 125W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 10.4mm | |
| Šířka | 9.35mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 4.6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 30A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 200V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada STripFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 75mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 125W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 10.4mm | ||
Šířka 9.35mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 4.6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: STripFET MOSFET N-kanálový 30 A 200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET N-kanálový 40 A 200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET STB75NF20 N-kanálový 75 A 200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET STB40NF20 N-kanálový 40 A 200 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET N-kanálový 16 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET N-kanálový 120 A 75 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET STB160N75F3 N-kanálový 120 A 75 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET STB16NF06LT4 N-kanálový 16 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení