řada: UniFET MOSFET FDD7N25LZTM Typ N-kanálový 6.2 A 250 V onsemi, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 páska po 10 kusech)*

149,58 Kč

(bez DPH)

180,99 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 3 590 jednotka(y) budou odesílané od 24. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za pásku*
10 - 9014,958 Kč149,58 Kč
100 - 24012,909 Kč129,09 Kč
250 - 49011,189 Kč111,89 Kč
500 - 9909,842 Kč98,42 Kč
1000 +8,93 Kč89,30 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
809-0931
Výrobní číslo:
FDD7N25LZTM
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

6.2A

Maximální napětí na zdroji Vds

250V

Řada

UniFET

Typ balení

TO-252

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

570mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.4V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

56W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

12nC

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

2.39mm

Normy/schválení

No

Délka

6.73mm

Automobilový standard

Ne

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


MOSFET UniFET™ je řada Fairchild Semiconductor s vysokým napětím MOSFET. Má nejmenší odpor na stavu mezi planetovými tranzistory MOSFET a poskytuje také vynikající spínací výkon a vyšší energii laviny. Navíc vnitřní elektrostatická dioda zdroje hradla umožňuje tranzistoru MOSFET UniFET-II™ MOSFET odolávat přepětí 2000 V HBM.

Tranzistory MOSFET™ UniFET™ jsou vhodné pro aplikace přepínání převodových převodníků, jako jsou korekce účiníku (PFC), TV s plochým panelem (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) a předřadníky elektronických světel.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.