řada: PowerTrench MOSFET FDS8958B Typ P, Typ N-kanálový 6.4 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2
- Skladové číslo RS:
- 806-3674
- Výrobní číslo:
- FDS8958B
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
182,53 Kč
(bez DPH)
220,86 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- 10 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Konečné odeslání 370 jednotky (jednotek) od 14. září 2026
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 18,253 Kč | 182,53 Kč |
| 100 - 490 | 13,19 Kč | 131,90 Kč |
| 500 - 990 | 11,066 Kč | 110,66 Kč |
| 1000 - 2490 | 9,435 Kč | 94,35 Kč |
| 2500 + | 8,769 Kč | 87,69 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 806-3674
- Výrobní číslo:
- FDS8958B
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P, Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Řada | PowerTrench | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 80mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 12nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.8V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Šířka | 3.9mm | |
| Délka | 4.9mm | |
| Výška | 1.575mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P, Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOIC | ||
Řada PowerTrench | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 80mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 12nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 0.8V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Šířka 3.9mm | ||
Délka 4.9mm | ||
Výška 1.575mm | ||
Normy/schválení No | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.
Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je modul FOM (obrázek o Merit) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozí generace.
Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat šňupací obvod nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 20 A 30 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 8 A 20 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 11 A 30 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 3.5 A 20 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 5.3 A 30 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 13 A 30 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 11 A 20 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení