řada: NDT MOSFET Typ N-kanálový 2.8 A 60 V onsemi, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 806-1255P
- Výrobní číslo:
- NDT014L
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 200 jednotky/-ek (dodává se na cívce)*
3 885,40 Kč
(bez DPH)
4 701,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 3 700 jednotka(y) budou odesílané od 15. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 200 - 480 | 19,427 Kč |
| 500 + | 16,87 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 806-1255P
- Výrobní číslo:
- NDT014L
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | NDT | |
| Typ balení | SOT-223 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 360mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -65°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 3W | |
| Přímé napětí Vf | 0.85V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 6.7mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.7mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada NDT | ||
Typ balení SOT-223 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 360mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -65°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 3W | ||
Přímé napětí Vf 0.85V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 6.7mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.7mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- řada: NDT MOSFET Typ N-kanálový 2.8 A 60 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NDT MOSFET NDT014L Typ N-kanálový 2.8 A 60 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NDT MOSFET Typ P-kanálový 2.5 A 60 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NDT MOSFET Typ N-kanálový 4 A 60 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NDT MOSFET Typ P-kanálový 7.5 A 30 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NDT MOSFET Typ P-kanálový 5 A 30 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NDT MOSFET NDT456P Typ P-kanálový 7.5 A 30 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NDT MOSFET NDT2955 Typ P-kanálový 2.5 A 60 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení