řada: PowerTrench MOSFET FDB035N10A Typ N-kanálový 120 A 100 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 802-3200
- Výrobní číslo:
- FDB035N10A
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
254,90 Kč
(bez DPH)
308,42 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 52 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 200 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 127,45 Kč | 254,90 Kč |
| 20 - 198 | 109,86 Kč | 219,72 Kč |
| 200 + | 95,205 Kč | 190,41 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 802-3200
- Výrobní číslo:
- FDB035N10A
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 120A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | PowerTrench | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.25V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 333W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 89nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.67mm | |
| Výška | 4.83mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 120A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada PowerTrench | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.25V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 333W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 89nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.67mm | ||
Výška 4.83mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, více než 60A, Fairchild Semiconductor
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 120 A 100 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 120 A 75 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET FDB088N08 Typ N-kanálový 120 A 75 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 110 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 12 A 100 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 79 A 150 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 80 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 29 A 150 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení