řada: RFD3055LESM MOSFET RFD3055LESM9A Typ N-kanálový 11 A 60 V onsemi, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 802-2159
- Výrobní číslo:
- RFD3055LESM9A
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
92,28 Kč
(bez DPH)
111,66 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 20 jednotka(y) budou odesílané od 24. srpna 2026
- Plus 3 390 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 9,228 Kč | 92,28 Kč |
| 100 - 240 | 7,964 Kč | 79,64 Kč |
| 250 - 490 | 6,893 Kč | 68,93 Kč |
| 500 - 990 | 6,063 Kč | 60,63 Kč |
| 1000 + | 5,537 Kč | 55,37 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 802-2159
- Výrobní číslo:
- RFD3055LESM9A
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 11A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | RFD3055LESM | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 107mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 38W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 9.4nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 2.39mm | |
| Délka | 6.73mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 11A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada RFD3055LESM | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 107mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 38W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 9.4nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 2.39mm | ||
Délka 6.73mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- řada: RFD3055LESM MOSFET Typ N-kanálový 11 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 15.5 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 20 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 14 A 50 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 45 A 40 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení