řada: TK MOSFET TK100E08N1 Typ N-kanálový 214 A 80 V Toshiba, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 796-5077
- Výrobní číslo:
- TK100E08N1
- Výrobce:
- Toshiba
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
64,22 Kč
(bez DPH)
77,71 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 1 jednotka/jednotek připraveno k odeslání
- Plus 160 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 2 188 jednotka(y) budou odesílané od 06. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 64,22 Kč |
| 10 - 19 | 60,88 Kč |
| 20 - 49 | 57,86 Kč |
| 50 - 249 | 51,18 Kč |
| 250 + | 47,84 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 796-5077
- Výrobní číslo:
- TK100E08N1
- Výrobce:
- Toshiba
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Toshiba | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 214A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | TK | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.2mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 255W | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 130nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 4.45 mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 15.1mm | |
| Délka | 10.16mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Toshiba | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 214A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada TK | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.2mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 255W | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 130nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 4.45 mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 15.1mm | ||
Délka 10.16mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistory MOSFET, Toshiba
Související odkazy
- Ne TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Ne TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Ne TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Ne TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- NeS4X(S Typ N-kanálový 46 A 80 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- NeS4X(S Typ N-kanálový 72 A 80 V Toshiba počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Ne TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Ne TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení