AEC-Q101, řada: STripFET F3 MOSFET N-kanálový 80 A 55 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 795-9000P
- Výrobní číslo:
- STD65N55F3
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
2 191,00 Kč
(bez DPH)
2 651,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 22 400 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 50 - 245 | 43,82 Kč |
| 250 - 495 | 39,14 Kč |
| 500 + | 33,612 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 795-9000P
- Výrobní číslo:
- STD65N55F3
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 80A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | STripFET F3 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 33.5nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 6.6mm | |
| Šířka | 6.2mm | |
| Výška | 2.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 80A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada STripFET F3 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 33.5nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 6.6mm | ||
Šířka 6.2mm | ||
Výška 2.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
N-Channel STAFET™ F3, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.