řada: STripFET H7 MOSFET STL30N10F7 N-kanálový 30 A 100 V STMicroelectronics, PowerFLAT, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 792-5892P
- Výrobní číslo:
- STL30N10F7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
777,20 Kč
(bez DPH)
940,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 3 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 50 - 120 | 15,544 Kč |
| 125 - 495 | 15,178 Kč |
| 500 + | 14,19 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 792-5892P
- Výrobní číslo:
- STL30N10F7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 30A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | PowerFLAT | |
| Řada | STripFET H7 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 35mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20, +20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 75W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 14nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 0.95mm | |
| Délka | 6.35mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 5.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 30A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení PowerFLAT | ||
Řada STripFET H7 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 35mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20, +20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 75W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 14nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 0.95mm | ||
Délka 6.35mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 5.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.