řada: STripFET H7 MOSFET N-kanálový 180 A 80 V STMicroelectronics, H2PAK, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 792-5855P
- Výrobní číslo:
- STH270N8F7-2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (20 jednotky/-ek, dodává se na souvislé pásce)*
1 970,10 Kč
(bez DPH)
2 383,82 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 982 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 20 - 98 | 98,505 Kč |
| 100 - 198 | 87,985 Kč |
| 200 + | 75,56 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 792-5855P
- Výrobní číslo:
- STH270N8F7-2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 180A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | H2PAK | |
| Řada | STripFET H7 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 21mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 193nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 315W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 15.8mm | |
| Výška | 4.8mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení H2PAK | ||
Řada STripFET H7 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 21mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 193nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 315W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 15.8mm | ||
Výška 4.8mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.