řada: MDmesh M2 MOSFET N-kanálový 11 A 650 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 792-5694P
- Výrobní číslo:
- STB13N60M2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 125 kusů a ušetřete 18%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
2 864,50 Kč
(bez DPH)
3 466,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 15. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 50 - 120 | 57,29 Kč | - |
| 125 + | 46,966 Kč | 18% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 792-5694P
- Výrobní číslo:
- STB13N60M2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 11A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | MDmesh M2 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 380mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -25V, +25V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 17nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 9.35mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 4.6mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 11A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada MDmesh M2 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 380mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -25V, +25V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 17nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 9.35mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 4.6mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada M2, STMicroelectronics, N-channel MDmesh™
Řada výkonových tranzistorů MOSFET s vysokým napětím od společnosti STMicroeletronics. Řada MDmesh M2 s nízkým nabíjením brány a vynikajícími kapacitance výstupu je dokonalá pro použití v přepínacích zdrojích rezonančního typu (měniče LLC).