řada: STripFET H7 MOSFET STD45N10F7 Typ N-kanálový 45 A 100 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 791-9291
- Výrobní číslo:
- STD45N10F7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
222,30 Kč
(bez DPH)
269,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 14. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 44,46 Kč | 222,30 Kč |
| 25 - 45 | 42,088 Kč | 210,44 Kč |
| 50 - 120 | 38,038 Kč | 190,19 Kč |
| 125 - 245 | 34,184 Kč | 170,92 Kč |
| 250 + | 32,506 Kč | 162,53 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 791-9291
- Výrobní číslo:
- STD45N10F7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 45A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | STripFET H7 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 18mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 60W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 6.6mm | |
| Výška | 2.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 45A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada STripFET H7 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 18mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 60W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 6.6mm | ||
Výška 2.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: STripFET H7 MOSFET Typ N-kanálový 45 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET H7 MOSFET STD25N10F7 Typ N-kanálový 25 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET H7 MOSFET STD100N10F7 Typ N-kanálový 80 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET H7 MOSFET Typ N-kanálový 80 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET H7 MOSFET Typ N-kanálový 25 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET H7 MOSFET STF100N10F7 Typ N-kanálový 45 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET H7 MOSFET Typ N-kanálový 45 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET H7 MOSFET STL30N10F7 Typ N-kanálový 30 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový