řada: STripFET V MOSFET N-kanálový 2.3 A 20 V STMicroelectronics, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 791-7876P
- Výrobní číslo:
- STR2N2VH5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (100 jednotky/-ek, dodává se na souvislé pásce)*
1 065,80 Kč
(bez DPH)
1 289,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 3 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 100 - 490 | 10,658 Kč |
| 500 - 990 | 8,542 Kč |
| 1000 - 2990 | 7,604 Kč |
| 3000 + | 6,888 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 791-7876P
- Výrobní číslo:
- STR2N2VH5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Řada | STripFET V | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 40mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 350mW | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -8, +8V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 1.75mm | |
| Výška | 1.3mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 3.04mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Řada STripFET V | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 40mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 350mW | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -8, +8V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 1.75mm | ||
Výška 1.3mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 3.04mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel STAFET™ V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.