MPN

MOSFET DMG9N65CTI N-kanálový 9 A 650 V, ITO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Momentálně nedostupné

Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	DiodesZetex
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	9 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	650 V
	Typ balení	ITO-220
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	1,3 Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	5V
	Maximální ztrátový výkon	13 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-30 V, +30 V
	Šířka	4.9mm
	Počet prvků na čip	1
	Materiál tranzistoru	Si
	Maximální pracovní teplota	+150 °C
	Délka	16.07mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	39 nC při 10 V
	Minimální provozní teplota	-55 °C
	Výška	16.07mm

	Vybrat vše
	Značka DiodesZetex
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 9 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 650 V
	Typ balení ITO-220
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 1,3 Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 5V
	Maximální ztrátový výkon 13 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -30 V, +30 V
	Šířka 4.9mm
	Počet prvků na čip 1
	Materiál tranzistoru Si
	Maximální pracovní teplota +150 °C
	Délka 16.07mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 39 nC při 10 V
	Minimální provozní teplota -55 °C
	Výška 16.07mm

Související odkazy