AEC-Q101, řada: SQ Rugged TrenchFET výkonový MOSFET SQD25N06-22L_GE3 Typ N-kanálový 25 A 60 V Vishay, TO-252, počet

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

55,33 Kč

(bez DPH)

66,95 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • 25 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Konečné odeslání 1 865 jednotky (jednotek) od 03. června 2026
Ks
za jednotku
za balení*
5 +11,066 Kč55,33 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
787-9480
Výrobní číslo:
SQD25N06-22L_GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

TrenchFET výkonový MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

25A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Řada

SQ Rugged

Typ balení

TO-252

Typ montáže

Montáž na plošný spoj

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

0.022Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

50nC

Přímé napětí Vf

1.5V

Maximální ztrátový výkon Pd

62W

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

6.73mm

Normy/schválení

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Výška

2.38mm

Automobilový standard

AEC-Q101

N-kanálový MOSFET, řada Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor


Tranzistory MOSFET řady SQ společnosti Vishay Semiconductor jsou určeny pro všechny automobilové aplikace vyžadující odolnost a vysokou spolehlivost.

Výhody tranzistorů MOSFET řady SQ Rugged


• certifikace AEC-Q101

• Teplota spoje až +175 °C.

• technologie TrenchFET® s nízkým odporem na kanálu n a p-channel

• Inovativní prostorově úsporné možnosti balení

Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.