řada: STripFET H7 MOSFET N-kanálový 60 A 100 V STMicroelectronics, PowerFLAT, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 786-3741P
- Výrobní číslo:
- STL60N10F7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
1 700,90 Kč
(bez DPH)
2 058,10 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 21. dubna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 50 - 245 | 34,018 Kč |
| 250 - 495 | 25,912 Kč |
| 500 + | 22,986 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 786-3741P
- Výrobní číslo:
- STL60N10F7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 60A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | PowerFLAT | |
| Řada | STripFET H7 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 16.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 25nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 5W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20, +20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 0.95mm | |
| Šířka | 6.35mm | |
| Délka | 5.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 60A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení PowerFLAT | ||
Řada STripFET H7 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 16.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 25nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 5W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20, +20V | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 0.95mm | ||
Šířka 6.35mm | ||
Délka 5.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.