řada: STripFET H7 MOSFET N-kanálový 180 A 100 V STMicroelectronics, H2PAK, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 786-3704P
- Výrobní číslo:
- STH310N10F7-6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (20 jednotky/-ek, dodává se na souvislé pásce)*
2 279,60 Kč
(bez DPH)
2 758,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 880 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 20 - 98 | 113,98 Kč |
| 100 - 198 | 110,445 Kč |
| 200 + | 95,71 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 786-3704P
- Výrobní číslo:
- STH310N10F7-6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 180A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | STripFET H7 | |
| Typ balení | H2PAK | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.3mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 180nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 315W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20, +20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 15.25mm | |
| Výška | 4.8mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 10.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada STripFET H7 | ||
Typ balení H2PAK | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.3mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 180nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 315W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20, +20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 15.25mm | ||
Výška 4.8mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 10.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel STAFET™ řady H7, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.