řada: MDmesh M5 MOSFET N-kanálový 30 A 710 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 783-3059P
- Výrobní číslo:
- STB38N65M5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
911,00 Kč
(bez DPH)
1 102,30 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 626 jednotka(y) budou odesílané od 16. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 10 - 99 | 91,10 Kč |
| 100 - 999 | 81,71 Kč |
| 1000 + | 80,72 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 783-3059P
- Výrobní číslo:
- STB38N65M5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 30A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 710V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | MDmesh M5 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 95mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -25V, +25V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 190W | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 71nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 4.6mm | |
| Šířka | 9.35mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 30A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 710V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada MDmesh M5 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 95mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -25V, +25V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 190W | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 71nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 4.6mm | ||
Šířka 9.35mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Řada N-channel MDmesh™ M5 STMicroelectronics
Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh M5 jsou optimalizovány pro vysoce výkonné topologie PFC a PWM. Mezi hlavní funkce patří nízké ztráty na silikonové ploše v kombinaci s nízkým nabíjením zadní výklopné stěny. Jsou navrženy pro energeticky úsporné, kompaktní a spolehlivé aplikace pro náročné přepínání, jako jsou solární napájecí měniče, napájecí zdroje pro spotřební výrobky a elektronické ovládání osvětlení.