řada: NTTFS5116PL MOSFET NTTFS5116PLTAG Typ P-kanálový 20 A 60 V onsemi, WDFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 780-4786
- Výrobní číslo:
- NTTFS5116PLTAG
- Výrobce:
- onsemi
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
192,91 Kč
(bez DPH)
233,42 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Nedostatečné zásobování
- Plus 3 430 jednotka(y) budou odesílané od 02. listopadu 2026
Naše současné skladové zásoby jsou omezené a naši dodavatelé očekávají nedostatek.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 + | 19,291 Kč | 192,91 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 780-4786
- Výrobní číslo:
- NTTFS5116PLTAG
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 20A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | WDFN | |
| Řada | NTTFS5116PL | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 72mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 40W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 25nC | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 3.15mm | |
| Výška | 750μm | |
| Šířka | 3.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 20A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení WDFN | ||
Řada NTTFS5116PL | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 72mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 40W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 25nC | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 3.15mm | ||
Výška 750μm | ||
Šířka 3.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor
Tranzistory MOSFET, on Semiconductor
Související odkazy
- řada: NTTFS5116PL MOSFET Typ P-kanálový 20 A 60 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 7.9 A 100 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 4.4 A 100 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 22 A 150 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET FDMS86163P Typ P-kanálový 7.9 A 100 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET FDMS86263P Typ P-kanálový 22 A 150 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET FDMC86139P Typ P-kanálový 4.4 A 100 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 WDFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení