AEC-Q101 Výkonový MOSFET NTMD4N03R2G Typ N-kanálový 4 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2
- Skladové číslo RS:
- 780-0674
- Výrobní číslo:
- NTMD4N03R2G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
173,89 Kč
(bez DPH)
210,41 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Omezený stav zásob
- 2 450 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 17,389 Kč | 173,89 Kč |
| 100 - 240 | 14,993 Kč | 149,93 Kč |
| 250 - 490 | 13,017 Kč | 130,17 Kč |
| 500 - 990 | 11,411 Kč | 114,11 Kč |
| 1000 + | 10,399 Kč | 103,99 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 780-0674
- Výrobní číslo:
- NTMD4N03R2G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 80mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 8nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Přímé napětí Vf | 0.82V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 4mm | |
| Výška | 1.5mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 5mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 80mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 8nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Přímé napětí Vf 0.82V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 4mm | ||
Výška 1.5mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 5mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Duální MOSFET N-Channel, ON on Semiconductor
Tranzistory MOSFET, on Semiconductor
Související odkazy
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 4 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 3.5 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- Výkonový MOSFET NDS9945 Typ N-kanálový 3.5 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 MOSFET NVMTS0D7N04CTXG Typ N-kanálový onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: FDS MOSFET Typ P-kanálový 8.8 A 30 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 12.8 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 20 A 30 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 12 A 60 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení