MPN

řada: μCool MOSFET NTLJD3119CTBG Typ P, Typ N-kanálový 4.6 A 20 V, WDFN, počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2

Skladové číslo RS:: 780-0655
Výrobní číslo:: NTLJD3119CTBG
Výrobce:: onsemi

řada: μCool MOSFET NTLJD3119CTBG Typ P, Typ N-kanálový 4.6 A 20 V, WDFN, počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2

Využijte množstevní slevu

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

181,30 Kč

(bez DPH)

219,40 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 21. ledna 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
10 - 90	18,13 Kč	181,30 Kč
100 - 240	15,66 Kč	156,60 Kč
250 - 490	13,536 Kč	135,36 Kč
500 - 990	11,905 Kč	119,05 Kč
1000 +	10,843 Kč	108,43 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 780-0655
Výrobní číslo:: NTLJD3119CTBG
Výrobce:: onsemi

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	Typ P, Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	4.6A
	Maximální napětí na zdroji Vds	20V
	Řada	μCool
	Typ balení	WDFN
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	6
	Maximální odpor zdroje Rds	200mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	3.7nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	2.3W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	8V
	Přímé napětí Vf	0.69V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Konfigurace tranzistoru	Izolovaný
	Výška	0.75mm
	Délka	2mm
	Šířka	2mm
	Normy/schválení	No
	Počet prvků na čip	2
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu Typ P, Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4.6A
	Maximální napětí na zdroji Vds 20V
	Řada μCool
	Typ balení WDFN
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 6
	Maximální odpor zdroje Rds 200mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 3.7nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 2.3W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 8V
	Přímé napětí Vf 0.69V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Konfigurace tranzistoru Izolovaný
	Výška 0.75mm
	Délka 2mm
	Šířka 2mm
	Normy/schválení No
	Počet prvků na čip 2
	Automobilový standard Ne

Duální, N/P-Channel MOSFET, ON on Semiconductor

NTJD1155L je dvoukanálový MOSFET. Tento MOSFET, který je vybaven kanály P i N do jednoho balení, je oslnivý pro nízký řídicí signál, nízké napětí baterie a velký zatěžovací proud. Kanál N je vybaven interní ochranou proti elektrostatickému výboji a lze jej řídit logickým signálem s nízkým napětím 1,5 V, zatímco kanál P-Channel je navržen pro použití v aplikacích přepínání zatížení. Kanál P byl také navržen s využitím technologie polovičního zákopu.

Tranzistory MOSFET, on Semiconductor

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.