Tranzistor MOSFET FCD380N60E N-kanálový 10.2 A 600 V, DPAK, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 774-1137P
- Výrobní číslo:
- FCD380N60E
- Výrobce:
- Fairchild Semiconductor
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet 25 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
1 454,25 Kč
(bez DPH)
1 759,75 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 25 - 120 | 58,17 Kč |
| 125 - 245 | 51,654 Kč |
| 250 - 495 | 46,508 Kč |
| 500 + | 42,256 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 774-1137P
- Výrobní číslo:
- FCD380N60E
- Výrobce:
- Fairchild Semiconductor
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Fairchild Semiconductor | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 10.2 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 600 V | |
| Typ balení | DPAK | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 380 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 2.5V | |
| Maximální ztrátový výkon | 106 W | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | +30 V | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 34 nC při 10 V | |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C | |
| Délka | 6.73mm | |
| Šířka | 6.22mm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Výška | 2.39mm | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Fairchild Semiconductor | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 10.2 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 600 V | ||
Typ balení DPAK | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 380 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2.5V | ||
Maximální ztrátový výkon 106 W | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj +30 V | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 34 nC při 10 V | ||
Maximální pracovní teplota +150 °C | ||
Délka 6.73mm | ||
Šířka 6.22mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Výška 2.39mm | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Související odkazy
- MOSFET SIHD186N60EF-GE3 N-kanálový 19 A 600 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- řada: MDmeshMOSFET STB7ANM60N N-kanálový 5 A 600 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: STripFETTranzistor MOSFET STD5N20 N-kanálový 5 A 200 V počet kolíků: 3
- řada: QFETTranzistor MOSFET FQD10N20CTM N-kanálový 7.8 A 200 V počet kolíků: 3
- MOSFET NDD05N50ZT4G N-kanálový 5 DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: TKMOSFET TK7P60W DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: TKMOSFET TK10P60W7 A 600 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: MDmesh4 A 600 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
