řada: NTD25P03L MOSFET NTD25P03LT4G Typ P-kanálový 25 A 30 V onsemi, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 773-7888
- Výrobní číslo:
- NTD25P03LT4G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
130,42 Kč
(bez DPH)
157,81 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 490 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 26,084 Kč | 130,42 Kč |
| 50 - 95 | 22,526 Kč | 112,63 Kč |
| 100 - 495 | 19,514 Kč | 97,57 Kč |
| 500 - 995 | 17,142 Kč | 85,71 Kč |
| 1000 + | 15,512 Kč | 77,56 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 773-7888
- Výrobní číslo:
- NTD25P03LT4G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 25A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | NTD25P03L | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 90mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -15, +15V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 75W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 6.73mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 2.38mm | |
| Šířka | 6.22mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 25A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada NTD25P03L | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 90mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -15, +15V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 75W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 6.73mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 2.38mm | ||
Šířka 6.22mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor
Tranzistory MOSFET, on Semiconductor
Související odkazy
- řada: NTD25P03L MOSFET Typ P-kanálový 25 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 15.5 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NTD20P06LT4G Typ P-kanálový 15.5 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FQD7P20TM MOSFET Typ P-kanálový 5.7 A 200 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 1.33 A 500 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 6.7 A 40 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 8.4 A 40 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: QFET MOSFET Typ P-kanálový 9.4 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení