řada: NTD18N06L MOSFET NTD18N06LT4G Typ N-kanálový 18 A 60 V onsemi, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 773-7875
- Výrobní číslo:
- NTD18N06LT4G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
140,30 Kč
(bez DPH)
169,75 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 20 jednotka(y) budou odesílané od 24. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 28,06 Kč | 140,30 Kč |
| 50 - 95 | 24,206 Kč | 121,03 Kč |
| 100 - 495 | 20,946 Kč | 104,73 Kč |
| 500 - 995 | 18,376 Kč | 91,88 Kč |
| 1000 + | 16,796 Kč | 83,98 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 773-7875
- Výrobní číslo:
- NTD18N06LT4G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 18A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | NTD18N06L | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 65mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 55W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 11nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 2.38mm | |
| Délka | 6.73mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 18A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada NTD18N06L | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 65mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 55W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 11nC | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 2.38mm | ||
Délka 6.73mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
Tranzistory MOSFET, on Semiconductor
Související odkazy
- řada: NTD18N06L MOSFET Typ N-kanálový 18 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UltraFET MOSFET Typ N-kanálový 18 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: UltraFET MOSFET RFD12N06RLESM9A Typ N-kanálový 18 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 15.5 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 20 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 14 A 50 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 45 A 40 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET RFD14N05LSM9A Typ N-kanálový 14 A 50 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
