MPN

MOSFET 2SJ606-AZ P-kanálový 300 A 60 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Nedostupné

Společnost RS již nebude tento výrobek vést skladem.

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Renesas Electronics
	Typ kanálu	P
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	300 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	60 V
	Typ balení	TO-220
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	23 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	2.5V
	Maximální ztrátový výkon	120 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	120 nC při 10 V
	Šířka	8.5mm
	Délka	10mm
	Maximální pracovní teplota	+150 °C
	Materiál tranzistoru	Si
	Počet prvků na čip	1
	Výška	4.8mm

	Vybrat vše
	Značka Renesas Electronics
	Typ kanálu P
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 300 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 60 V
	Typ balení TO-220
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 23 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 2.5V
	Maximální ztrátový výkon 120 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 120 nC při 10 V
	Šířka 8.5mm
	Délka 10mm
	Maximální pracovní teplota +150 °C
	Materiál tranzistoru Si
	Počet prvků na čip 1
	Výška 4.8mm

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.