MOSFET 2SJ606-AZ P-kanálový 300 A 60 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 772-5264P
- Výrobní číslo:
- 2SJ606-AZ
- Výrobce:
- Renesas Electronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet 40 jednotky/-ek (dodává se v sáčku)*
2 250,60 Kč
(bez DPH)
2 723,24 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 40 - 198 | 56,265 Kč |
| 200 - 398 | 51,62 Kč |
| 400 - 998 | 47,77 Kč |
| 1000 + | 47,505 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 772-5264P
- Výrobní číslo:
- 2SJ606-AZ
- Výrobce:
- Renesas Electronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Renesas Electronics | |
| Typ kanálu | P | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 300 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 60 V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 23 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 2.5V | |
| Maximální ztrátový výkon | 120 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 120 nC při 10 V | |
| Délka | 10mm | |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Šířka | 8.5mm | |
| Výška | 4.8mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Renesas Electronics | ||
Typ kanálu P | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 300 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 60 V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 23 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 2.5V | ||
Maximální ztrátový výkon 120 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 120 nC při 10 V | ||
Délka 10mm | ||
Maximální pracovní teplota +150 °C | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Šířka 8.5mm | ||
Výška 4.8mm | ||
Související odkazy
- MOSFET NTP2955G P-kanálový 12 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: SIPMOS®MOSFET SPP15P10PHXKSA1 P-kanálový 15 A 100 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: IPA MOSFET Typ P-kanálový 24.8 A Infineon, TO-220 P
- řada: IPA MOSFET IPA50R190CEXKSA2 Typ P-kanálový 24.8 A Infineon, TO-220 P
- AEC-Q101 PowerPAK,
- Výkonový MOSFET Typ P-kanálový 11 A 60 V, TO-263 Vishay 1 Jednoduchý
- řada: QFETMOSFET FQP8P10 P-kanálový 5 TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET FQD7P06TM P-kanálový 5.4 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
